ag电子水果拉霸技巧:在電力應用中,氧化鎵可能會挑戰硅,氮化鎵和碳化硅

AG电子游戏摆脱豪华版 www.evrxr.icu 氧化鎵是一種半導體材料,其帶隙大于硅,氮化鎵和碳化硅,但在成為電力電子產品的主要參與者之前需要更多的研發。

半導體世界可能會有一個新的參與者,它以氧化鎵技術的形式出現。 根據布法羅大學(UB)工程與應用科學學院電氣工程副教授Uttam Singisetti博士的說法,這種材料可以在改善電動汽車,太陽能和其他形式的可再生能源方面發揮關鍵作用。 他說,“我們需要具有更強大和更高效的電源處理能力的電子元件。氧化鎵開辟了我們用現有半導體無法實現的新可能性?!?/p>

電子工業正在盡可能地將硅作為半導體最大化,這就是為什么研究人員正在探索其他材料,如碳化硅,氮化鎵和氧化鎵。氧化鎵具有差的導熱性,但其帶隙(約4.8電子伏特或eV)超過碳化硅(約3.4eV),氮化鎵(約3.3eV)和硅(1.1eV)的帶隙。

帶隙測量將電子搖動到導電狀態所需的能量。 采用高帶隙材料制成的系統可以比由帶隙較低的材料組成的系統更薄,更輕,并且處理更多的功率。此外,高帶隙使得可以在更高的溫度下操作這些系統,從而減少對龐大的冷卻系統的需求。

此文章引自https://www.electronicdesign.com/網站。

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